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浙江省2008年7月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由________产生的。
3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
4.已知某晶体三极管的fT和β，则fβ=________。
5.根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
7.对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是________。
8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
9.若引入反馈使放大器的增益________，这样的反馈称为负反馈。
10.放大电路中，为稳定静态工作点，应引入________反馈。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
11.温度升高时，晶体二极管的Is将( )
A.增大
B.减小
C.不变
D.近似不变
12.PN结反向工作时，流过的电流主要是( )
A.扩散电流
B.漂移电流
C.传导电流
D.扩散与漂移电流并存
13.已知某晶体管的α=0.99，则该管的β值是( )
A.100
B.101
C.98
D.99
14.如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流( )
A.反向
B.中断
C.增大
D.不变
15.当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而( )
A.增大
B.减小
C.不变
D.略微增大
16.场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的( )
A.非饱和区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区
17.共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在( )
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态
18.差分放大器中用电流源代替Ree是为了( )
A.提高差模放大倍数
B.提高共模放大倍数
C.提高共模抑制比
D.提高差模输入电阻
19.所谓放大器工作在闭环状态是指( )
A.考虑信号源内阻
B.有反馈通路
C.接入负载
D.信号源短路
20.负反馈放大电路的环路增益是指( )
A.
B.
C.1+
D.
21.如果PN结的反向电流急剧增加，称为( )
A.反向导通
B.反向截止
C.反向击穿
D.反向饱和
22.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( )
A.VCB.VC>VB>VE
C.VCD.VC>VE>VB
23.场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现________关系。( )
A.指数
B.平方
C.对数
D.线性
24.某放大电路负载开路时，输出电压为4V，负载短路时，输出电流为10mA，则该电路的输出电阻为( )
A.200Ω
B.300Ω
C.400Ω
D.500Ω
25.某放大电路的增益A=100dB，若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍，问反馈系数kf应选多少？( )
A.0.1
B.0.01
C.0.001
D.0.00999
三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)
26.放大电路的直流通路如图三（1）所示，设管子的β=100,ICQ=2mA，VBE（on）=0.7V，若要求V0的范围为4~8V，试确定R2的值和R1的取值范围。
27.图三（2）是某⌒в艿奶匦郧撸晕矢霉苁鞘粲谀闹掷嘈汀⒛闹止档赖某⌒в埽坎⑶驣DSS、VGS（off）的值。
28.电流源电路如图三（3）所示，试求输出电流I0和交流输出电阻R0的值。（设VBE（on）=0.7V，|VA|=100V，两管子参数一致，β=50）
四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)
29.某单管放大电路如图四（1）所示，所有电容对交流呈短路，已知三极管β=50,rbb′=200Ω，VBE=0.7V，当RW的滑动端置于中点时，试计算：
（1）静态时ICQ、VCEQ；
（2）输入电阻Ri；
（3）源电压增益Avs。
30.差分放大电路如图四（2）所示，已知三个管子一致，β=50，VBE(on)=0.6V，
rbb′=200Ω,VCC=VEE=15V,RC=6kΩ,RL=12kΩ,R1=20kΩ,R2=10kΩ,R3=2.2kΩ。试：
（1）计算T1管的静态工作点ICQ1；
（2）计算电路的差模电压放大倍数Avd= ；
（3）求差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod的值。
31.放大电路如图四（3）所示 ，现要求接上负载RL后，电压放大倍数基本不变，需要引入负反馈，设反馈电阻为RF。
（1）问j、k、m、n四点哪两点之间接上反馈电阻RF？
（2）判别引入反馈的类型；
（3）写出深负反馈条件下，电压增益Avf的表达式。
32.理想运放组成的电路如图四（4）所示，试求运放各输出电压V01，V0和各输入电压之间的关系式。
33.比较电路如图四（5）所示，已知稳压管VZ=6V，VD（on）=0.6V，VR=2V，试求：
（1）该电路的阈值电压Vth；
（2）画出比较特性V0~Vi；
（3）当Vi=5sinωt(V)时，画出V0（t)的波形。
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